лазер на гетероструктурах

См. также в других словарях:

• ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). В полупроводниковой активной …   Физическая энциклопедия

• ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР — полупроводниковый лазер, в к ром для создания инверсии населённости используется инжекция избыточных эл нов и дырок в прямом (пропускном) направлении через нелинейный ПП контакт, обычно через р n переход или гетеропереход. Важнейшей… …   Физическая энциклопедия

• История изобретения лазеров — 1917 А. Эйнштейн представляет концепцию вынужденного излучения 1920 И. Франк и Ф. Райхе подтвердили существование метастабильных состояний в возбужденном состоянии 1927 Поль Дирак создает квантовую теорию вынужденного излучения 1928 Р. Ладенбург… …   Википедия

• Квантовая электроника — Квантовая электроника  область физики, изучающая методы усиления и генерации электромагнитного излучения на основе явления вынужденного излучения в неравновесных квантовых системах, а также свойств получаемых таким образом усилителей и… …   Википедия

• СВЕТОДИОД — (светоизлучающий диод), полупроводниковый прибор, преобразующий электрич. энергию в энергию оптич. излучения на основе явления инжекционной электролюминесценции, происходящей в ПП кристалле с электронно дырочным переходом или гетеропереходом либо …   Физическая энциклопедия

• хронология достижений в истории отечественной техники — 1045–50 е гг. В Великом Новгороде построен Софийский собор; при его возведении применялись блоки, полиспасты, вороты, рычажные и другие строительные механизмы. 1156 Построен деревянный Кремль в Москве по приказу Юрия Долгорукого. 1404 Монах… …   Энциклопедия техники

• Гетеропереход — GaAs/AlGaAs Гетеропереход контакт двух различных полупроводников. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах ( …   Википедия

• Лавинный фотодиод — Структура лавинного фотодиода на основе кремния: 1  омические контакты, 2  антиотражающее покрытие Лавинные фотодиоды (ЛФД; англ. avalanche photodiode  APD)  высокочувствительные полупроводниковые приборы, преобразующие… …   Википедия

• гетеропереход —  Heterojunction  Гетеропереход   Контакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно… …   Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.

• heterojunction —  Heterojunction  Гетеропереход   Контакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно… …   Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.

• Жорес Иванович Алферов — родился 15 марта 1930 г. в Витебске (Белоруссия). В 1952 г. окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ульянова (ЛЭТИ) (в настоящее время – Санкт Петербургский государственный… …   Энциклопедия ньюсмейкеров